买卖IC网 >> 产品目录 >> SIR808DP-T1-GE3 MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SIR808DP-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 25 Volts 20 Amps 29.8 Watts
SIR808DP-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 25 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 20 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.0074 Ohms
配置 Single
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SIR808DP-T1-GE3
SIR812DP-T1-GE3
SIR814DP-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3
SIR826ADP-T1-GE3
SIR826DP-T1-GE3
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  • SIR808DP-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    2,000 0.4 800
    3,000 0.386 1158
    6,000 0.358 2148
    12,000 0.346 4152